FinFET작동원리1 FinFET 개념정리 FinFET 개념정리 기존 Planar type FET는 Gate가 한 면의 Channel만 커버합니다. 이 FET는 시간이 흘러 칩의 집적도가 나노(nano)단위까지 작아짐에 따라 문제가 발생하게 됩니다. 그것은 바로 Source와 Drain간 간격이 매우 가까워져서 Short Channel Effect를 무시할 수 없게 되었다는 점입니다. * Short Channel Effect : 트랜지스터의 Off-Current가 증가함에 따라 Breakdown Voltage가 감소하고 Saturation 특성을 보이지 않고 Vd값에 따라 Current가 계속 증가하는 현상. FinFET은 다음과 같은 Planar type의 단점을 보완한 방식입니다. FinFET의 어원은 입체감을 살린 Gate의 모양이 마치 물.. 2019. 8. 21. 이전 1 다음