oxidation1 반도체 8대공정 3탄, 산화공정(Oxidation) 개념정리 반도체 8대공정 3탄, 산화공정(Oxidation) 개념정리 산화공정이란 웨이퍼 공정을 거쳐 만들어진 웨이퍼에 산화막인 SiO2를 형성하는 공정을 뜻합니다.산화막을 웨이퍼에 입히는 이유는 공정 시 발생하는 Particle로부터 웨이퍼 표면을 보호하기 위함입니다. - 산화공정 변수 1. Oxidants(산화제)Oxidant 종류로는 크게 두 가지가 있습니다. 바로 물(H2O)과 산소(O2)입니다.900~1200도에 달하는 온도인 Furnace에 웨이퍼를 넣고 수증기나 산소를 주입하는 과정을 통해 산화막을 형성할 수 있습니다.여기서 사용하는 Oxidant에 따라 Wet Oxidation과 Dry Oxidation으로 나누어집니다. 2. 웨이퍼 결정 구조웨이퍼의 결정 구조는 위 사진과 같이 100, 110, .. 2019. 8. 28. 이전 1 다음