FinFET 개념정리

 

FinFET 개념정리

기존 Planar type FET는

Gate가 한 면의 Channel만 커버합니다.

이 FET는 시간이 흘러

칩의 집적도가 나노(nano)단위까지 작아짐에 따라

문제가 발생하게 됩니다.

그것은 바로 Source와 Drain간 간격이 매우 가까워져서

Short Channel Effect를 무시할 수 없게 되었다는 점입니다.

* Short Channel Effect : 트랜지스터의 Off-Current가 증가함에 따라

Breakdown Voltage가 감소하고 Saturation 특성을 보이지 않고

Vd값에 따라 Current가 계속 증가하는 현상.

FinFET은 다음과 같은 Planar type의 단점을 보완한 방식입니다.

FinFET의 어원은 입체감을 살린 Gate의 모양이

마치 물고기의 지느러미(Fin)와 닮았다고 하여

Fin + FET = FinFET으로 불리게 되었습니다.

FinFET은 Gate의 입체감을 살려

기존의 Channel 한 면만 커버하는 것과 달리

세 면을 커버하는 구조로 Gate가 3개인 구조입니다.

따라서 세 면에서 전력을 조절할 수 있게 되어

반도체 특성 향상 및 Off-Current 특성을 개선하였습니다.