전공지식34 무선설비기사 실기 2탄, 스미스차트(Smith Chart) 개념정리 무선설비기사 실기 2탄,스미스차트(Smith Chart) 개념정리 안녕하세요.오늘은 무선설비기사 실기과목 중 하나인 스미스차트에 대해 알아보겠습니다. 위 사진은 스미스차트 문제 풀이 시, 꼭 암기해야 하는 부분을 정리해놓은 자료로시험응시생 여러분들은 꼭 알고 가셔야 합니다.구체적으로 설명 드리자면 시험장에 가면 스미스차트를 제공해줍니다.왼쪽에서 퍼져 나가는 원들은 어드미턴스 차트, 오른쪽에서 퍼져 나가는 원들은 임피던스 차트입니다.매칭회로가 주어졌을 경우,직렬 L일 경우 시계 방향으로 임피던스 차트를 따라 움직이고병렬 L은 반시계 방향으로 어드미턴스 차트를 따라 이동하게 됩니다. 여기서 잠깐!직렬은 임피던스 차트, 병렬은 어드미턴스 차트입니다.이동하는 거리 계산할 때도 임피던스 값과 어드미턴스 값을 구분.. 2019. 12. 2. 무선설비기사 실기 1탄, 단답형 정리 무선설비기사 실기 1탄, 단답형 정리 안녕하세요. 이번 포스팅에서는 무선설비기사 실기 출제과목인 단답형에 대해 개념정리를 하려고 합니다. 자주 출제되는 문제 위주로 10개의 문제 유형을 정리하겠습니다. 1. 페이딩(Fading) 감소를 위해 다이버시티 방식을 적용하여 통신하려는 경우 페이딩 종류 5가지 - 공간 다이버시티 : 2 이상의 안테나를 페이딩 상관성이 적게 되는 위치에 이격 설치하여 가장 좋은 신호를 선택 수신하며 페이딩 영향을 개선하는 방식 - 주파수 다이버시티 : 전파의 전파 과정에서 발생하는 페이딩을 방지하기 위해 동일한 통신 정보를 여러 개의 주파수에 실어서 전송하는 방식 - 편파 다이버시티 : 2개의 편파(수직편파, 수평편파)를 따로 송수신하여 페이딩의 영향을 개선 - 시간 다이버시티 .. 2019. 12. 2. 반도체 8대공정 5탄, 금속공정(Metalization) 개념정리 반도체 8대공정 5탄, 금속공정(Metalization) 개념정리 Metalization이란 소자 간 연결선 역할을 하는 Interconnect와 S/C에서 전기적인 신호를 받거나 내보내는 역할을 수행하는 Contact를 제작하는 공정입니다. 즉, S/C에 전류가 흐르는 도로를 만드는 과정이 바로 Metalization인 것입니다. 일반적으로 단일층 재료로 Al과 Cu를 사용하고 있고 다층구조에는 Ti와 W를 사용하는 추세입니다. 그렇다면 위에 나와 있는 금속 이외에도 다른 금속을 사용할 수 있을까요?Metalization에 사용하기 위해서는 다음 6가지 조건을 충족해야합니다. - Metalization에서의 Metal의 조건 1. Good adhesion to the Wafer Wafer 표면에 부착하.. 2019. 9. 2. 반도체 8대공정 4탄, 박막(Thin Film)증착(Deposition)공정 개념정리 반도체 8대공정 4탄, 박막(Thin Film)증착(Deposition)공정 개념정리 웨이퍼 공정을 통해 탄생한 웨이퍼는 전기적 특성이 없습니다. 이 웨이퍼에 전기적 특성을 입히는 공정을 박막(Thin Film)증착(Deposition)공정이라고 합니다. Deposition은 크게 2가지 방식으로 분류할 수 있습니다. PVD(Physical Vapor Deposition)와 CVD(Chemical Vapor Deposition)입니다. 최신 반도체공정에서는 CVD가 주로 활용되고 있는데 그 이유는 PVD보다 표면접착력이 10배나 높고 활용도가 높은 장점이 있기 때문입니다.저는 우선 PVD 방식부터 정리하도록 하겠습니다. - PVD(Physical Vapor Deposition)1. Thermal Evap.. 2019. 8. 31. 반도체 8대공정 3탄, 산화공정(Oxidation) 개념정리 반도체 8대공정 3탄, 산화공정(Oxidation) 개념정리 산화공정이란 웨이퍼 공정을 거쳐 만들어진 웨이퍼에 산화막인 SiO2를 형성하는 공정을 뜻합니다.산화막을 웨이퍼에 입히는 이유는 공정 시 발생하는 Particle로부터 웨이퍼 표면을 보호하기 위함입니다. - 산화공정 변수 1. Oxidants(산화제)Oxidant 종류로는 크게 두 가지가 있습니다. 바로 물(H2O)과 산소(O2)입니다.900~1200도에 달하는 온도인 Furnace에 웨이퍼를 넣고 수증기나 산소를 주입하는 과정을 통해 산화막을 형성할 수 있습니다.여기서 사용하는 Oxidant에 따라 Wet Oxidation과 Dry Oxidation으로 나누어집니다. 2. 웨이퍼 결정 구조웨이퍼의 결정 구조는 위 사진과 같이 100, 110, .. 2019. 8. 28. 이전 1 ··· 3 4 5 6 7 다음
