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전공지식/반도체지식10

반도체 8대공정 3탄, 산화공정(Oxidation) 개념정리 반도체 8대공정 3탄, 산화공정(Oxidation) 개념정리 산화공정이란 웨이퍼 공정을 거쳐 만들어진 웨이퍼에 산화막인 SiO2를 형성하는 공정을 뜻합니다.산화막을 웨이퍼에 입히는 이유는 공정 시 발생하는 Particle로부터 웨이퍼 표면을 보호하기 위함입니다. - 산화공정 변수 1. Oxidants(산화제)Oxidant 종류로는 크게 두 가지가 있습니다. 바로 물(H2O)과 산소(O2)입니다.900~1200도에 달하는 온도인 Furnace에 웨이퍼를 넣고 수증기나 산소를 주입하는 과정을 통해 산화막을 형성할 수 있습니다.여기서 사용하는 Oxidant에 따라 Wet Oxidation과 Dry Oxidation으로 나누어집니다. 2. 웨이퍼 결정 구조웨이퍼의 결정 구조는 위 사진과 같이 100, 110, .. 2019. 8. 28.
반도체 8대공정 2탄, 웨이퍼(Wafer) 공정 개념정리 반도체 8대공정 2탄, 웨이퍼(Wafer) 공정 개념정리 웨이퍼란 무엇일까요? 비유적으로 설명하자면 피자를 만들기 위한 기초재료인 도우가 반도체에서는 웨이퍼라고 할 수 있습니다. 웨이퍼라는 얇은 원판 위에 토핑을 추가하는 것처럼 다수의 동일회로를 새겨 넣어서 반도체 집적회로(Semiconductor Integrated Circuit)가 탄생하게 됩니다. 이처럼 웨이퍼는 반도체 산업에서 기초재료라고 할 수 있습니다. 웨이퍼는 실리콘(Si)이나 갈륨아세나이드(GaAs)와 같은 화합물을 성장시켜서 만든 단결정 기둥(Ingot)을 다이아몬드 커팅기로 일정 두께로 얇게 커팅한 원판을 의미합니다. 대부분의 웨이퍼는 모래에서 추출한 실리콘(Si)로 제조합니다. 이로 인한 이점은 지구상에 널려있는 모래에서 실리콘을 추.. 2019. 8. 27.
반도체 8대공정 1탄 : 포토공정(Photolithography) 개념정리 반도체 8대공정에서 가장 오랜 시간을 차지하고 이에 따라 공정원가도 가장 높은 포토공정에 대해 알아보겠습니다. 포토공정의 흐름을 먼저 간략하게 살펴본 후 상세한 부분들을 설명하도록 하겠습니다. 위 그림을 보시면 첫 번째로 포토레지스트(PR:Photo Resist)를 웨이퍼(Wafer)상에 도포합니다. 하지만 PR은 소수성이라 웨이퍼 표면에 잘 달라붙지 않습니다. 따라서 PR을 웨이퍼 상에 도포하기 전에 HMDS(Hexa-Methyl-Di-Silazane)이라는 접착제를 미리 웨이퍼 표면에 얇게 도포합니다. HMDS를 도포하는 방법은 N2(질소)가스를 이용하여 밀폐된 좁은 공간에 HMDS를 넣고 일정한 압력으로 N2가스를 넣어서 웨이퍼 막에 HMDS가 얇게 퍼지게 하는 방식으로 도포합니다. 이제 접착제인 .. 2019. 8. 25.
FinFET 개념정리 FinFET 개념정리 기존 Planar type FET는 Gate가 한 면의 Channel만 커버합니다. 이 FET는 시간이 흘러 칩의 집적도가 나노(nano)단위까지 작아짐에 따라 문제가 발생하게 됩니다. 그것은 바로 Source와 Drain간 간격이 매우 가까워져서 Short Channel Effect를 무시할 수 없게 되었다는 점입니다. * Short Channel Effect : 트랜지스터의 Off-Current가 증가함에 따라 Breakdown Voltage가 감소하고 Saturation 특성을 보이지 않고 Vd값에 따라 Current가 계속 증가하는 현상. FinFET은 다음과 같은 Planar type의 단점을 보완한 방식입니다. FinFET의 어원은 입체감을 살린 Gate의 모양이 마치 물.. 2019. 8. 21.
낸드플래시(NAND Flash) 개념정리 낸드플래시를 설명하기 이전에DRAM과 플래시메모리(Flash Memory)의 차이에 관해 설명하겠습니다.저장방식에 있어서 DRAM은 캐패시터에 데이터를 저장하는 반면,플래시메모리는 플로팅게이트(Floating Gate:FG)라는 곳에데이터를 저장하는 차이가 있습니다.따라서 DRAM은 휘발성, 플래시메모리는 비휘발성의 특징을 가지게 됩니다. 이제 본격적으로 낸드플래시에 대해 설명하도록 하겠습니다.낸드플래시(NAND Flash)는 반도체 셀이 직렬로 배열되어 있는 플래시 종류로쓰기속도가 빠릅니다.그리고 셀을 수직으로 배열하기 때문에좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있어서대용량화할 수 있다는 장점을 가지고 있습니다. 단점으로는 메모리 중에서 가장 읽기속도가 느리다는 단점이 있습니다. 다음으로 NAND Flash.. 2019. 8. 20.